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ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
부품 번호
ALD1110EPAL
제조사/브랜드
시리즈
EPAD®
부품현황
Active
포장
Tube
작동 온도
0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
8-DIP (0.300", 7.62mm)
전력 - 최대
600mW
공급자 장치 패키지
8-PDIP
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.01V @ 1µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2.5pF @ 5V
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재고 40204 PCS
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