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EPC2021
TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
90A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 14mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
15nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1650pF @ 40V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V
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재고 11409 PCS