EPC2101
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
부품 번호
EPC2101
제조사/브랜드
시리즈
eGaN®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
Die
전력 - 최대
-
공급자 장치 패키지
Die
FET 유형
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
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재고 46109 PCS
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