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EPC2108ENGRT

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TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
부품 번호
EPC2108ENGRT
제조사/브랜드
EPC
시리즈
eGaN®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
9-VFBGA
전력 - 최대
-
공급자 장치 패키지
9-BGA (1.35x1.35)
FET 유형
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 기능
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
60V, 100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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재고 30048 PCS
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