EPC2110ENGRT
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
부품 번호
EPC2110ENGRT
제조사/브랜드
시리즈
eGaN®
부품현황
Active
포장
Digi-Reel®
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
Die
전력 - 최대
-
공급자 장치 패키지
Die
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
120V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.4A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 700µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
80pF @ 60V
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재고 41507 PCS
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