EPC2110ENGRT
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
부품 번호
EPC2110ENGRT
제조사/브랜드
시리즈
eGaN®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
Die
전력 - 최대
-
공급자 장치 패키지
Die
FET 유형
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
120V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.4A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 700µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
80pF @ 60V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 7847 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT 전자 부품
EPC2110ENGRT 매상
EPC2110ENGRT 공급자
EPC2110ENGRT 유통 업체
EPC2110ENGRT 데이터 테이블
EPC2110ENGRT 사진
EPC2110ENGRT 가격
EPC2110ENGRT 권하다
EPC2110ENGRT 최저 가격
EPC2110ENGRT 찾다
EPC2110ENGRT 구매
EPC2110ENGRT 칩숏