GP1M003A090C
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
부품 번호
GP1M003A090C
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
D-Pak
전력 소비(최대)
94W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
900V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
17nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
748pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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재고 45030 PCS
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