GSID600A120S4B1
SILICON IGBT MODULES
부품 번호
GSID600A120S4B1
제조사/브랜드
시리즈
Amp+™
부품현황
Active
작동 온도
-40°C ~ 150°C
장착 유형
Chassis Mount
패키지/케이스
Module
전력 - 최대
3060W
구성
Half Bridge
공급자 장치 패키지
Module
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1130A
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
1200V
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1mA
IGBT 유형
-
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
입력 커패시턴스(Cies) @ Vce
51nF @ 25V
입력
Standard
NTC 서미스터
Yes
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재고 52309 PCS
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