BSC020N025S G
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
부품 번호
BSC020N025S G
제조사/브랜드
시리즈
OptiMOS™
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지
PG-TDSON-8
전력 소비(최대)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
25V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 110µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
66nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
8290pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 19457 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드BSC020N025S G
BSC020N025S G 전자 부품
BSC020N025S G 매상
BSC020N025S G 공급자
BSC020N025S G 유통 업체
BSC020N025S G 데이터 테이블
BSC020N025S G 사진
BSC020N025S G 가격
BSC020N025S G 권하다
BSC020N025S G 최저 가격
BSC020N025S G 찾다
BSC020N025S G 구매
BSC020N025S G 칩숏