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BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
부품 번호
BSO615NGHUMA1
제조사/브랜드
시리즈
SIPMOS®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
2W
공급자 장치 패키지
PG-DSO-8
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 20µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
20nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
380pF @ 25V
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재고 15349 PCS
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