IPB147N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
부품 번호
IPB147N03LGATMA1
제조사/브랜드
시리즈
OptiMOS™
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
D²PAK (TO-263AB)
전력 소비(최대)
31W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
14.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
10nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1000pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 27959 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IPB147N03LGATMA1
IPB147N03LGATMA1 전자 부품
IPB147N03LGATMA1 매상
IPB147N03LGATMA1 공급자
IPB147N03LGATMA1 유통 업체
IPB147N03LGATMA1 데이터 테이블
IPB147N03LGATMA1 사진
IPB147N03LGATMA1 가격
IPB147N03LGATMA1 권하다
IPB147N03LGATMA1 최저 가격
IPB147N03LGATMA1 찾다
IPB147N03LGATMA1 구매
IPB147N03LGATMA1 칩숏