이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
IRF1902GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
부품 번호
IRF1902GTRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지
8-SO
전력 소비(최대)
-
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
700mV @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
310pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
-
Vgs(최대)
-
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 11641 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRF1902GTRPBF
IRF1902GTRPBF 전자 부품
IRF1902GTRPBF 매상
IRF1902GTRPBF 공급자
IRF1902GTRPBF 유통 업체
IRF1902GTRPBF 데이터 테이블
IRF1902GTRPBF 사진
IRF1902GTRPBF 가격
IRF1902GTRPBF 권하다
IRF1902GTRPBF 최저 가격
IRF1902GTRPBF 찾다
IRF1902GTRPBF 구매
IRF1902GTRPBF 칩숏