IRF8513TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
부품 번호
IRF8513TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
1.5W, 2.4W
공급자 장치 패키지
8-SO
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
8A, 11A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
766pF @ 15V
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재고 43918 PCS
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