IRF9910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
부품 번호
IRF9910TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
2W
공급자 장치 패키지
8-SO
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10A, 12A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.55V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
900pF @ 10V
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재고 21983 PCS
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