IRFH5220TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
부품 번호
IRFH5220TR2PBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-VQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지
PQFN (5x6)
전력 소비(최대)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 100µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
30nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1380pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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