IRFH7004TR2PBF
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
부품 번호
IRFH7004TR2PBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®, StrongIRFET™
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-VQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
전력 소비(최대)
156W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.9V @ 150µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
194nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
6419pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
6V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 29902 PCS
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