IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
부품 번호
IXDN602SI
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
입력 유형
Non-Inverting
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지
8-SOIC-EP
전압 - 공급
4.5 V ~ 35 V
채널 유형
Independent
구동 구성
Low-Side
운전자 수
2
게이트 유형
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH
0.8V, 3V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크)
2A, 2A
하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)
-
상승/하강 시간(일반)
7.5ns, 6.5ns
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재고 37351 PCS
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