IXFA4N100P
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
부품 번호
IXFA4N100P
제조사/브랜드
시리즈
HiPerFET™, PolarP2™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
TO-263 (IXFA)
전력 소비(최대)
150W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
26nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1456pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 15203 PCS
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