IXFP5N100PM
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
부품 번호
IXFP5N100PM
제조사/브랜드
시리즈
HiPerFET™, PolarP2™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3 Isolated Tab
공급자 장치 패키지
TO-220 Isolated Tab
전력 소비(최대)
42W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
6V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
33.4nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1830pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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재고 49566 PCS
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