IXFP8N85XM
MOSFET N-CH
부품 번호
IXFP8N85XM
제조사/브랜드
시리즈
HiPerFET™
부품현황
Active
포장
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지
TO-220 Isolated Tab
전력 소비(최대)
33W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
850V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
17nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
654pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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재고 50665 PCS
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