IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH
부품 번호
IXFT80N65X2HV
제조사/브랜드
시리즈
HiPerFET™
부품현황
Active
포장
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지
TO-268HV
전력 소비(최대)
890W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 4mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
140nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
8300pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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