IXTA18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
부품 번호
IXTA18P10T
제조사/브랜드
시리즈
TrenchP™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
TO-263 (IXTA)
전력 소비(최대)
83W (Tc)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
39nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2100pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±15V
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