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IXTH1N200P3

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

부품 번호

IXTH1N200P3

제조사/브랜드

IXYS

시리즈

부품현황

Active

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

전력 소비(최대)

125W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

2000V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

1A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

40 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

23.5nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

646pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 25200 PCS

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