IXTQ86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
부품 번호
IXTQ86N20T
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지
TO-3P
전력 소비(최대)
480W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
86A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
90nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4500pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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재고 52359 PCS
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