IXTY1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
부품 번호
IXTY1N100P
제조사/브랜드
시리즈
Polar™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252, (D-Pak)
전력 소비(최대)
50W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.5V @ 50µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
15.5nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
331pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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