IXTY4N60P
MOSFET N-CH TO-252
부품 번호
IXTY4N60P
제조사/브랜드
시리즈
PolarHV™
부품현황
Last Time Buy
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252
전력 소비(최대)
89W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5.5V @ 100µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
13nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
635pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 36931 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IXTY4N60P
IXTY4N60P 전자 부품
IXTY4N60P 매상
IXTY4N60P 공급자
IXTY4N60P 유통 업체
IXTY4N60P 데이터 테이블
IXTY4N60P 사진
IXTY4N60P 가격
IXTY4N60P 권하다
IXTY4N60P 최저 가격
IXTY4N60P 찾다
IXTY4N60P 구매
IXTY4N60P 칩숏