APTM100H46FT3G
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
부품 번호
APTM100H46FT3G
제조사/브랜드
시리즈
POWER MOS 8™
부품현황
Active
포장
Bulk
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Chassis Mount
패키지/케이스
SP3
전력 - 최대
357W
공급자 장치 패키지
SP3
FET 유형
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V (1kV)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
19A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 2.5mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
260nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
6800pF @ 25V
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재고 11334 PCS
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