APTM120H29FG
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
부품 번호
APTM120H29FG
제조사/브랜드
시리즈
POWER MOS 7®
부품현황
Active
포장
Bulk
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Chassis Mount
패키지/케이스
SP6
전력 - 최대
780W
공급자 장치 패키지
SP6
FET 유형
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
34A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 5mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
374nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
10300pF @ 25V
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