구입하다 NXP USA Inc. BUK9E4R9-60E,127 MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

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BUK9E4R9-60E,127

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

부품 번호

BUK9E4R9-60E,127

제조사/브랜드

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

부품현황

Obsolete

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK

전력 소비(최대)

234W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

60V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

65nC @ 5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

9710pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

5V, 10V

Vgs(최대)

±10V

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재고 52943 PCS

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