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PMDPB42UN,115

PMDPB42UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
부품 번호
PMDPB42UN,115
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
6-UDFN Exposed Pad
전력 - 최대
510mW
공급자 장치 패키지
DFN2020-6
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
185pF @ 10V
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