FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
부품 번호
FQD19N10LTM
제조사/브랜드
시리즈
QFET®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
D-Pak
전력 소비(최대)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
870pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 53627 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드FQD19N10LTM
FQD19N10LTM 전자 부품
FQD19N10LTM 매상
FQD19N10LTM 공급자
FQD19N10LTM 유통 업체
FQD19N10LTM 데이터 테이블
FQD19N10LTM 사진
FQD19N10LTM 가격
FQD19N10LTM 권하다
FQD19N10LTM 최저 가격
FQD19N10LTM 찾다
FQD19N10LTM 구매
FQD19N10LTM 칩숏