HUF76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
부품 번호
HUF76609D3ST
제조사/브랜드
시리즈
UltraFET™
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252AA
전력 소비(최대)
49W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
16nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
425pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±16V
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