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QS8J4TR

QS8J4TR

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
부품 번호
QS8J4TR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SMD, Flat Lead
전력 - 최대
550mW
공급자 장치 패키지
TSMT8
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
13nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
800pF @ 10V
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재고 26613 PCS
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