RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
부품 번호
RQ3E160ADTB
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
전력 소비(최대)
2W (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
51nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2550pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 36336 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB 전자 부품
RQ3E160ADTB 매상
RQ3E160ADTB 공급자
RQ3E160ADTB 유통 업체
RQ3E160ADTB 데이터 테이블
RQ3E160ADTB 사진
RQ3E160ADTB 가격
RQ3E160ADTB 권하다
RQ3E160ADTB 최저 가격
RQ3E160ADTB 찾다
RQ3E160ADTB 구매
RQ3E160ADTB 칩숏