TSM4ND65CI
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
부품 번호
TSM4ND65CI
제조사/브랜드
부품현황
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지
ITO-220
전력 소비(최대)
41.6W (Tc)
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.8V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
16.8nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
596pF @ 50V
Vgs(최대)
±30V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
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재고 45004 PCS
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