CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
부품 번호
CSD19506KTT
제조사/브랜드
시리즈
NexFET™
부품현황
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
공급자 장치 패키지
DDPAK/TO-263-3
전력 소비(최대)
375W (Tc)
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
200A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
156nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
12200pF @ 40V
Vgs(최대)
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
6V, 10V
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