TPH3208LS
MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
부품 번호
TPH3208LS
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Last Time Buy
포장
Tube
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
3-PowerDFN
공급자 장치 패키지
PQFN (8x8)
전력 소비(최대)
96W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.6V @ 300µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
14nC @ 8V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
760pF @ 400V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
8V
Vgs(최대)
±18V
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재고 30706 PCS
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