IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
부품 번호
IRFB9N65APBF
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3
공급자 장치 패키지
TO-220AB
전력 소비(최대)
167W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
930 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
48nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1417pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 chen_hx1688@hotmail.com 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 22681 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF 전자 부품
IRFB9N65APBF 매상
IRFB9N65APBF 공급자
IRFB9N65APBF 유통 업체
IRFB9N65APBF 데이터 테이블
IRFB9N65APBF 사진
IRFB9N65APBF 가격
IRFB9N65APBF 권하다
IRFB9N65APBF 최저 가격
IRFB9N65APBF 찾다
IRFB9N65APBF 구매
IRFB9N65APBF 칩숏