IRFD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
부품 번호
IRFD110PBF
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
전력 소비(최대)
1.3W (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.3nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
180pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 47894 PCS
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