IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
부품 번호
IRLD120PBF
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
전력 소비(최대)
1.3W (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
12nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
490pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4V, 5V
Vgs(최대)
±10V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 34633 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRLD120PBF
IRLD120PBF 전자 부품
IRLD120PBF 매상
IRLD120PBF 공급자
IRLD120PBF 유통 업체
IRLD120PBF 데이터 테이블
IRLD120PBF 사진
IRLD120PBF 가격
IRLD120PBF 권하다
IRLD120PBF 최저 가격
IRLD120PBF 찾다
IRLD120PBF 구매
IRLD120PBF 칩숏