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데이터시트

SI3460BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

부품 번호

SI3460BDV-T1-E3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

전력 소비(최대)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

20V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

24nC @ 8V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

860pF @ 10V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.8V, 4.5V

Vgs(최대)

±8V

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재고 43756 PCS

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