SI5509DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
부품 번호
SI5509DC-T1-E3
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET®
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SMD, Flat Lead
전력 - 최대
4.5W
공급자 장치 패키지
1206-8 ChipFET™
FET 유형
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
6.1A, 4.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
6.6nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
455pF @ 10V
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재고 16928 PCS
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