구입하다 Vishay Siliconix SI5858DU-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.

데이터시트

SI5858DU-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

부품 번호

SI5858DU-T1-E3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

부품현황

Obsolete

포장

Digi-Reel®

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual

전력 소비(최대)

2.3W (Ta), 8.3W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

드레인-소스 전압(Vdss)

20V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

16nC @ 8V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

520pF @ 10V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.8V, 4.5V

Vgs(최대)

±8V

견적요청

모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.

재고 14657 PCS

연락처 정보

관련 상품

SI5853CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8