SI8429DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
부품 번호
SI8429DB-T1-E1
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
4-XFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지
4-Microfoot
전력 소비(최대)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
8V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
800mV @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
26nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1640pF @ 4V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Vgs(최대)
±5V
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