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SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

부품 번호

SI8808DB-T2-E1

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

4-UFBGA

공급자 장치 패키지

4-Microfoot

전력 소비(최대)

500mW (Ta)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

Rds On(최대) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

10nC @ 8V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

330pF @ 15V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.5V, 4.5V

Vgs(최대)

±8V

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