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데이터시트

SIHD5N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

부품 번호

SIHD5N50D-GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

부품현황

Discontinued at Digi-Key

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

전력 소비(최대)

104W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

500V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

5.3A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

325pF @ 100V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±30V

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재고 6848 PCS

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