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데이터시트

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

부품 번호

SIHG33N65E-GE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

부품현황

Active

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

전력 소비(최대)

313W (Tc)

FET 유형

N-Channel

드레인-소스 전압(Vdss)

650V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

32.4A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

173nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

4040pF @ 100V

Vgs(최대)

±30V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

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재고 49804 PCS

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