SIHH180N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH PPAK 8X8
부품 번호
SIHH180N60E-T1-GE3
제조사/브랜드
시리즈
E
부품현황
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지
PowerPAK® 8 x 8
전력 소비(최대)
114W (Tc)
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
33nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1085pF @ 100V
Vgs(최대)
±30V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
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재고 45107 PCS
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