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데이터시트

SIR122DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8

부품 번호

SIR122DP-T1-RE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen IV

부품현황

Active

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

PowerPAK® SO-8

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

전력 소비(최대)

5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

FET 유형

N-Channel

드레인-소스 전압(Vdss)

80V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

16.7A (Ta), 59.6A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

7.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

44nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1950pF @ 40V

Vgs(최대)

±20V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

7.5V, 10V

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재고 7577 PCS

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