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데이터시트

SIR632DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

부품 번호

SIR632DP-T1-RE3

제조사/브랜드

Vishay Siliconix

시리즈

ThunderFET®

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

PowerPAK® SO-8

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

전력 소비(최대)

69.5W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

150V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

29A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

34.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

17nC @ 7.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

740pF @ 75V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

7.5V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 18019 PCS

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